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高光效LED芯片——2017神灯奖入围产品
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  • 品牌名称: 华灿

项目名称:

高光效LED芯片

申报单位:

华灿光电股份有限公司

综合介绍或申报理由:

本项目高光效芯片技术有特色,产品有优势,专家认为“整体达到国际先进、部分国际领先”。申请发明专利122项,其中授权美国专利2项、中国专利30多项。以高压、倒装和小间距显示屏为代表先进芯片制造技术已产业化,市场占有率超30%。本项目技术三年累计产出13.76亿元,利润3.40亿元,创汇2000万美元,技术在多家公司推广,产品应用于国内外几十家著名公司间接效益巨大,节能减排效益显著,社会效益重大。高光效LED芯片广泛应用于半导体照明和高铁站信息屏及央视春晚舞台显示等。

主要技术参数:

1、倒装结构解决蓝宝石散热不良导致芯片功率降低难题,采用布拉格反射镜提高出光率;垂直结构克服横向电流局部阻塞,改善载流子输运,提高光效;40x40 mil2倒装芯片@35A/cm2白光光效172.7 lm/W,超同期国际主流产品技术指标。

2、精制新型缓冲层减少晶格失配,降低外延层缺陷密度,减少非辐射复合中心;创新阻挡层减小电子溢流,改善载流子注入不平衡;创新的多量子阱有源区设计,使内量子效率从70%提升到90% 以上。 3、高压芯片白光光效169.14lm/W @35A/cm2优于国际主流产品,提高高压转换器效率,节约照明系统成本30%。开发AlN缓冲层PVD沉积技术,MOCVD外延生长时间大幅缩短,生产效率提升30%。

技术及工艺创新要点:

1、倒装结构与垂直结构GaN-LED芯片及其制备技术

2、发明类超晶格缓冲层、组分渐变电子阻挡层和多量子阱结构有源区及其制备技术,提高内量子效率。

3、发明侧向光子晶体和复合透明导电膜等界面修饰集成制备技术,减少光子界面损耗,提高外量子效率;优化制备图形化衬底和DBR反光层,芯片出光效率提升30%;研发的小间距显示屏专用芯片,小电流下一致性好,满足低亮、高灰度下的高品质显示要求。

4、创新高深宽比高压LED芯片设计,隔离槽刻蚀等关键制备技术取得突破。 


实际运用案例和用户评价意见:

如图


获奖、专利情况:

发明新专利


申报单位介绍:

华灿光电股份有限公司的前身是武汉华灿光电有限公司,创立于2005年,2011年整体改制为股份有限公司。华灿光电是国内领先的LED(Light Emitting Diode,发光二极管)芯片供应商。 作为“新材料、新能源”领域的高新技术企业,我们致力于研发、生产、销售全色系产品为主的高质量LED外延材料与芯片。我们拥有国际领先的技术研发能力和成熟的生产工艺,基于客户的需求持续创新。目前,我们服务于全国的客户,产品已经成功地应用于国内多个重点项目。 公司成立八年以来,我们从基础设施建设和基础性研发起步,凝聚人才,引进设备,研发新品并量产,建设质量管理体系,开拓市场,和客户及供应商建立合作伙伴关系。我们脚踏实地,又积极进取,迅速确立了技术和品质领先的行业地位。 公司将持续扩大投资,继续引进国际先进设备,扩大生产规模,占领市场竞争的优势地位。

产品图片:



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